cal Layered Thyristor， VLT）技术，进而颠覆全球市场。VLT存储单元在2015年已通过验证，目前一款新的完整存储器测试正处于早期测试阶段。Kilopass始终致力于推广这项技术，并正与DRAM制造商进行许可协商。

  “Kilopass以一次性可编程（OTP）存储器技术的领导者而闻名，我很高兴我们也可以为DRAM市场带来新的革新，”Kilopass首席执行官Charlie Cheng说道。“我们的VLT技术是一项真正具有颠覆性的技术，运用它我们的被授权商能够迅速高效地为市场提供与JEDEC标准完全兼容的DRAM产品，这一些产品在功耗和成本上将具有非常明显优势，同时也免去了现有DRAM制造流程中构建电容的困扰。”

  晶闸管是一种结构较为复杂的电子器件，在电学上等效于一对交叉耦合的双极型晶体管。由于锁存的形成，这种结构很适合存储器；与当前基于电容的DRAM相比，晶闸管内存不需要刷新。晶闸管于20世纪50年代被发明，之前人们曾屡次尝试将其应用于SRAM市场，但都未能成功。

  Kilopass的VLT通过垂直方式实现晶闸管架构，从而使存储单元更加紧凑。紧凑的结构加上所需的物理器件，构造出制造工艺简单的交叉点内存，这将带来一项与DDR标准兼容，并且比当前顶尖的20纳米DRAM制造成本低45%的新技术。

  此外，因为VLT不需要复杂且高功耗的刷新周期，基于VLT的DDR4 DRAM将待机功耗降低了10倍，可降低到50fA/bit以下，且仍将性能提高15%。最为关键的是，VLT避开了传统DRAM制造中最大的挑战，即沟电容的制造，从而规避了相关的专利冲突，这一点具有很重要的战略意义。

  VLT存储单元的运行和器件测试已于2015年完成，测试结果与器件仿真系统TCAD具备优秀能力的关联性。一块完整的内存测试芯片已于5月份成功流片，早期芯片测试正在进行当中。

  巨大的全球DDR（SDRAM）存储器市场在总产值为3500亿美元的全球半导体市场中占据了超过500亿美元的份额，使其成为政府为促进国内半导体产业高质量发展而推出的推动措施中，最重要的产品类别之一。就中国而言，国务院于2014年6月颁布了《国家集成电路产业高质量发展推进纲要》，要实现其中集成电路行业产值从2015年3500亿人民币以年均20%的增速达到2020年约8700亿人民币这一目标，DRAM产业的增长显得至关重要。

  然而，DRAM市场已十分成熟，且由三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）和美光（Micron）三家企业一同占有超过90%的市场占有率。现有DRAM的最关键技术是电容存储单元，它不仅带来了特有的制造挑战，还被大量专利所保护。为了进入DRAM市场，后发的中国厂商必须利用创新的替代方案，以推动竞争升级，争取实现差异化。VLT技术则代表了这样的一种可能性。

  现在已可以向数量有限的特许受让人提供VLT DRAM技术，用于20nm到31nm工艺技术节点。Kilopass已使用其突破性的TCAD模拟器，在所有的半导体制造工艺细节上对这两个节点进行了详尽的模拟，新一代10nm技术的验证有望在2017年完成。

  全新的VLT DRAM架构将于2016年10月12日到13日在“中国集成电路设计业 2016 年会暨长沙集成电路产业创新发展高峰论坛”上展出，该活动的举办地点为湖南省长沙市湖南国际会议和展览中心，Kilopass的展台号是119。

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