作业中会遇到这一种一些状况：损坏的IGBT模块要剖析失效原因，或许外观无缺的模块要判别是否有反常，在缺少专门仪器的状况下，数字万用表作为常用工具，能够在必定程度上协助咱们快速判别出IGBT好坏，这时一般会用到万用表的二极管档、电阻档、电容档。有必要留意一下的是，万用表的测验数据并不具有通用性，只能作为参阅根据。

  以常见的62mm封装IGBT模块为例，其内部由IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片、FWD（续流二极管）芯片、邦定线等构成，部分大电流模块还需由多组芯片进行组合。图1、2是某厂商400A模块：

  其电气衔接如图3。该模块上、下桥别离有4组IGBT和FWD芯片经过邦定线并联，等效电气符号如图4：

  用二极管档，能够丈量续流二极管的正向压降VF。短接门极-发射极，用万用表红表笔接发射极，黑表笔接集电极，测验正常模块VF会在0.3~0.7V左右，VF过大阐明FWD芯片或邦定线断开，过小阐明FWD或IGBT芯片呈现短路。

  VF的巨细与正向电流IF有关，如下图所示，不同万用表测验电路中的电阻和电压存在必定的差异，因此会导致丈量成果的差异，所以此测验值并不能与其他万用表测验值做比照，更不能代表数据手册上的数据，此测验值没有其它含义，只能够简略断定FWD芯片好坏。

  丈量模块内各个IGBT 管的集电极-发射极之间的阻值，短接门极-发射极，万用表红表笔接集电极，黑表笔接发射极，正常模块电阻数值显现一般在兆欧级以上。

  别离丈量模块内各个IGBT 管相门极-发射极（门极-集电极）之间的阻值。万用表红、黑表笔别离接于门极和发射极（门极和集电极），正常模块相同显现高阻态。当模块上衔接有驱动板时，门极-发射极电阻值等于泄放电阻，一般为数千欧。

  受万用表丈量规模的影响，关于上述高阻态的丈量，部分万用表无法显现有用数值。当然测验值为高阻态时并不能彻底代表模块是正常的，上述操作方法关于失效模块的断定有必定的作用，但断定成功率不是很高，还需要结合电容档丈量成果。

  万用表丈量档位调至电容档，红表笔接门极，黑表笔接发射极，别离丈量模块内IGBT的门极-发射极之间的内部电容容值，记载丈量数据，然后替换表笔，即黑表笔接门极，红表笔接发射极，记载丈量所得数据，视模块不同容值从几nF到几十nF。最终，将此数据与该万用表丈量的模块内其它IGBT芯片或同产家、同类型模块的丈量数据来进行比较，数值应相同或附近。

  丈量时只主张丈量门极-发射极之间的电容， IGBT 芯片中Cies 是最大的， Cres 和Coes远小于Cies，见示意图6、7，而万用表关于电容的测验精度也是有限的。

  和正向压降VF相似，此处测验值与数据手册上测验值测验条件是不同的，仅能作为比照参阅。